【IGBT研發工程師】

 

職位描述:

1.進行MOSFET, IGBT, FRD等功率半導體的器件及工藝仿真,版圖設計和工藝流程制定;

2.器件封裝,測試,特性及失效分析;

3.工藝和設計方案優化,提高產品性能及良率;

4.從產品定義到開發計劃的制定與實施以至定型量產的項目管理;

崗位要求:

1.功率半導體相關工作經驗2年(含)以上,熟悉MOSFET,IGBT, FRD等功率半導體的產品開發流程;

2.具有Wafer Fab實際經驗和MOSFET,IGBT, FRD等功率半導體產品的實際開發/生產經驗;

3.熟悉版圖設計(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation)

4.具有項目管理能力,主動溝通能力及團隊協作能力;

相關待遇:

1) 公司提供系統的崗前培訓(包括行業、產品知識,技術技能等);

2) 交五險一金(養老、醫療、失業、生育、工傷和住房公積金);

3) 提供法定節假日、年假、婚假、生育假、有薪病假等;

4) 公司有完善的考核體系和晉升機制;

5) 其他的福利制度,如生日券,節日福利,員工慰問金,員工年度體檢,一年一次旅游。

6)成為核心員工,獲得公司股權激勵。

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